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FDD6670A	文件：458.59 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FDD6670；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Features ·RDS(ON)=8mW（VGS=10V） ·RDS(ON)=10mW（VGS=4.5V） ·Lowgatecharge ·FastSwitching ·Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ·VDS(V)=-30V	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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FDD6670A

文件：458.59 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：FDD6670；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET

Features ·RDS(ON)=8mW（VGS=10V） ·RDS(ON)=10mW（VGS=4.5V） ·Lowgatecharge ·FastSwitching ·Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ·VDS(V)=-30V

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

详细参数

型号：
FDD6670
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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