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FDD7N25LZTM	文件：757.97 Kbytes Page：9 Pages	丝印：FDD7N25LZ；Package：DPAK；N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 6.2 A, 550 mΩ Features • RDS(on) = 430 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.1 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 8 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • ESD Improved Capability • RoHS Compliant Applications • LCD/LED/PDP TV • Consumer Appliances • Lighting • Uninte 文件：757.97 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FDD7N25LZ	文件：757.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 6.2 A, 550 mΩ Features • RDS(on) = 430 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.1 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 8 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • ESD Improved Capability • RoHS Compliant Applications • LCD/LED/PDP TV • Consumer Appliances • Lighting • Uninte 文件：757.97 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD7N25LZTM	文件：329.12 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel UniFET MOSFET 文件：329.12 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDD7N25LZ
功能描述：
MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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