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FDD6680AS	文件：498.11 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FDD6680AS；Package：TO-252；30V N -Channel MOSFET Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(21nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability •VDS(V)=30V •ID=50A(VGS=10V) •RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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FDD6680AS

文件：498.11 Kbytes

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Marking：FDD6680AS；Package：TO-252；30V N -Channel MOSFET

Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(21nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability •VDS(V)=30V •ID=50A(VGS=10V) •RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

详细参数

型号：
FDD6680AS
功能描述：
MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD6680AS供应商更新时间2025-5-16 16:36:00

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