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FDD6685	文件：389.79 Kbytes Page：5 Pages	型号：FDD6685；Package：TO-252；- 30V P-Channel GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeenoptimizedfor powermanagementapplicationsrequiringawide rangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features Fastswitchingspeed HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapa	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体

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FDD6685

文件：389.79 Kbytes

Page：5 Pages

型号：FDD6685；Package：TO-252；- 30V P-Channel

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeenoptimizedfor powermanagementapplicationsrequiringawide rangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features Fastswitchingspeed HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapa

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

详细参数

型号：
FDD6685
功能描述：
MOSFET 30V P-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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