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FDD86113	文件：454.31 Kbytes Page：6 Pages	型号：FDD86113LZ；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司

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文件：454.31 Kbytes

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型号：FDD86113LZ；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET

Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

详细参数

型号：
FDD86113
功能描述：
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD86113供应商更新时间2025-8-1 13:40:00

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