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FDD86113LZ中文资料PDF规格书
FDD86113LZ规格书详情
Features
Shielded Gate MOSFET Technology
HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)
High performance trench technology for extremely low RDS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
VDS =100V
ID(at VGS=10V)4.2A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 104mΩ
RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 156mΩ
产品属性
- 型号：
FDD86113LZ
- 功能描述：
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC进口原 |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO2523 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
新年份 |
TO-252 |
67410 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-252 |
5000 |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ON |
2023+ |
TO-252-3 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
17+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 |
