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FDD6680AS中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDD6680AS

功能描述

30V N -Channel MOSFET

丝印标识

FDD6680AS

封装外壳

TO-252

文件大小

498.11 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

UMW

中文名称

友台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 7:00:00

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FDD6680AS规格书详情

特性 Features

• Includes SyncFET Schottky body diode

• Low gate charge (21nC typical)

• High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

• High power and current handling capability

• VDS(V) = 30V

• ID =50A (VGS = 10V)

• RDS(ON) < 10.5mΩ (V GS = 5V)

• RDS(ON) < 13.0mΩ (V GS = 4.5V)

产品属性

  • 型号:

    FDD6680AS

  • 功能描述:

    MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild(飞兆/仙童)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
214
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TO-252-3
30000
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25+
TO-252
154388
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25+
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只做原装,质量保证
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