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FDD6680AS	文件：330.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6680AS	文件：498.11 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FDD6680AS；Package：TO-252；30V N -Channel MOSFET Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(21nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability •VDS(V)=30V •ID=50A(VGS=10V) •RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDD6680AS	文件：1.0433 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6680AS	文件：123.02 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench SyncFET GeneralDescription TheFDD6680ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6680ASincludesanintegratedSchottkydiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680AS	文件：332.08 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680AS_NL	文件：123.02 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench SyncFET GeneralDescription TheFDD6680ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6680ASincludesanintegratedSchottkydiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6680AS_08	文件：332.08 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDD6680AS
功能描述：
MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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