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FDD6680AS数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD6680AS

功能描述

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,30V,55A,10.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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FDD6680AS规格书详情

描述 Description

FDD6680AS设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率,提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDD6680AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDD6680AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDD6680A并联一个肖特基二极管的性能相似。

特性 Features

•55A,30V
•RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 13.0 mΩ @ VGS = 4.5 V
•包含SyncFET肖特基体二极管
•低栅极电荷(典型值21 nC)。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD6680AS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :55

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :13

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :10.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :37

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :11

  • Ciss Typ (pF)

    :1200

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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