FDD6680AS数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD6680AS规格书详情
描述 Description
FDD6680AS设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率,提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDD6680AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDD6680AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDD6680A并联一个肖特基二极管的性能相似。
特性 Features
•55A,30V
•RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 13.0 mΩ @ VGS = 4.5 V
•包含SyncFET肖特基体二极管
•低栅极电荷(典型值21 nC)。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD6680AS
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:55
- PD Max (W)
:60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:13
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:10.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:37
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:11
- Ciss Typ (pF)
:1200
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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