| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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4年
留言
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FSCTO-252 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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FSCTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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FAIRCHILSOT252 |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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8年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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8年
留言
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onsemi(安森美)TO-252(DPAK) |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
200 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA |
53 |
26+ |
大批量供应优势库存热卖 |
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4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
1118 |
05+ |
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13年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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1年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
5800 |
2021+ |
原装现货,欢迎来电咨询 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童D-PAKTO-252 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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8年
留言
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FAISMD |
20000 |
24+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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13年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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16年
留言
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FAIRCHILSOT252 |
4365 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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17年
留言
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FAIRCHILD/FSC/仙童飞兆半TO-252 |
57200 |
24+ |
新进库存/原装 |
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6年
留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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FDD6680AS价格
FDD6680AS价格:¥4.4241品牌:Fairchild
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FDD6680中文资料Alldatasheet PDF
更多FDD6680功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6680_Q功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6680A功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6680A_NBRZ002制造商:Fairchild 功能描述:30V N-CA FET 95MO LF
FDD6680A_Q功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6680A_SBRZ001A制造商:Fairchild 功能描述:30V N-CH FET, 95 MO
FDD6680AS功能描述:MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6680AS_08制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩
FDD6680AS_NL制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6680S功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
























