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FDD6612A数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD6612A

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,30A,20mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 13:28:00

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FDD6612A规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极点和低RDS(ON)、快速开关和超低RDS(ON)进行了优化,采用小型封装。

特性 Features

•30 A,30 V。
•RDS(on) = 20 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(on) = 28 mΩ @ VGS = 4.5 V
•低栅极电荷(典型值9 nC)。
•快速开关
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD6612A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :30

  • PD Max (W)

    :36

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :28

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.7

  • Ciss Typ (pF)

    :660

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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