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FDD6612A

N-Channel, Logic Level, PowerTrench??MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS( ON) , fast switching speed and extremely low RDS(O

文件:226.16 Kbytes 页数:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDD6612A

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

文件:873.81 Kbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

FDD6612A

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:122.79 Kbytes 页数:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDD6612A

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,30A,20mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极点和低RDS(ON)、快速开关和超低RDS(ON)进行了优化,采用小型封装。 •30 A,30 V。\n•RDS(on) = 20 mΩ @ VGS = 10 V\n•RDS(on) = 28 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•低栅极电荷(典型值9 nC)。\n•快速开关\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON);

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    30

  • PD Max (W):

    36

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    28

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    6.7

  • Ciss Typ (pF):

    660

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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更多FDD6612A供应商 更新时间2025-12-9 18:59:00