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FDD6030L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD6030L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,12A,14.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 9:40:00

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FDD6030L规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性 Features

•12 A, 30V
•RDS(ON) = 14.5 mΩ @ VGS = 10V
•RDS(ON) = 21.0 mΩ @ VGS = 4.5V
•低栅极电荷
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD6030L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :12

  • PD Max (W)

    :56

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :21

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :14.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :6.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :1230

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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