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FDD4243中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40V,-14A,44mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD4243

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40V,-14A,44mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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FDD4243规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench®技术生产,具有低rDS(on)和优化的Bvdss能力,在各种应用中都具有卓越的表现。

特性 Features

•最大rDS(on) = 44mΩ(VGS = -10V且ID = -6.7A时)
•最大rDS(on) = 64mΩ(VGS = 4.5V且ID = 5.5A时)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD4243

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-14

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :64

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :44

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :1165

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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