FDD3670中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，34A，32mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性 Features

•34 A, 100 V
•RDS(ON) = 32 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 6 V
•低栅极电荷（57nC，典型值）
•快速开关速度。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
•高功率和高电流处理能力。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.