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FDD1600N10ALZ中文资料N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，6.8A，160mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD1600N10ALZ规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 124mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.5A
•RDS(on) = 175mΩ（典型值）@ VGS = 5.0V，ID = 2.1A
•低栅极电荷（典型值2.78nC）
•低 Crss（典型值2.04pF)
•快速开关
•100%经过雪崩测试
•提高了 dv/dt 性能
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• LED 电视
• 消费型设备
技术参数
- 制造商编号
：FDD1600N10ALZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.8
- ID Max (A)
：6.8
- PD Max (W)
：14.9
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：124
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.78
- Ciss Typ (pF)
：169
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
DPAK |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
F |
23+ |
TO-252 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-252 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
50000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
DPAK |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
2405 |
con |
408 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
友台UMW |
25+ |
DIP |
2500 |
国产替换现货降本 |
询价 |
