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FDD10AN06A0中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,50A,10.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD10AN06A0

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,50A,10.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:24:00

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FDD10AN06A0规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 10.5mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 9.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 50A
•Qg(tot) = 28nC(典型值) @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 其他工业
• 其他消费型电子

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD10AN06A0

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :50

  • PD Max (W)

    :135

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :10.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :28

  • Ciss Typ (pF)

    :1840

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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