FDC8601中文资料N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET，100 V，2.7 A，109 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC8601规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 2.7 A时，rDS(on) = 109mΩ（最大值）
•VGS = 6 V，ID = 2.1 A时，rDS(on) = 176mΩ（最大值）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC8601
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.7
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：109
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：6
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.7
- Ciss Typ (pF)
：155
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
SOT23-6 |
6083 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TSOP-6 |
254660 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
TSOT-23 |
55740 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
9420 |
TSOT-23-6 |
36520 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2019+PB |
SOT-23-6 |
33450 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TSOP-6 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT23-6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2019+ |
TSOP-6 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 |
