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FDC8601数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC8601

功能描述

N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET,100 V,2.7 A,109 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDC8601规格书详情

描述 Description

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 2.7 A时,rDS(on) = 109mΩ(最大值)
•VGS = 6 V,ID = 2.1 A时,rDS(on) = 176mΩ(最大值)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC8601

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :2.7

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :109

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.7

  • Ciss Typ (pF)

    :155

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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