FDC640P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，53mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC640P规格书详情
描述 Description
此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-4.5 A，-20 V。
•RDS(ON) = 0.053 Ω @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = 2.5 V
•耐用栅极额定值(±12V)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC640P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-4.5
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：80
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：53
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9
- Ciss Typ (pF)
：890
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
23+ |
NA |
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ON |
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SOT23-6 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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SOT23-6 |
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