FDC6327C中文资料双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定数据手册ONSEMI规格书
FDC6327C规格书详情
描述 Description
这些N和P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计，能在极小的空间内实现优异的功率耗散，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。
特性 Features
•N沟道2.7A，20V。 RDS(on) = 0.08Ω @ VGS = 4.5V，RDS(on) = 0.12Ω @ VGS = 2.5V P沟道-1.6A，-20V。RDS(on) = 0.17Ω @VGS= -4.5V，RDS(on) = 0.25Ω @ V GS = -2.5V
• P-Channel -1.6A, -20V RDS(on) = 0.17Ω @ VGS = -4.5V RDS(on) = 0.25Ω @ VGS = -2.5V
•开关速度快。
•低栅极电荷。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON) 。
•SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC6327C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：±1.5
- ID Max (A)
：N:2.7
- PD Max (W)
：0.96
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:120
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 80
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：3.7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.85
- Ciss Typ (pF)
：315
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TSOP-6 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOT163 |
9526 |
询价 | |||
ON |
25+ |
SOT23-6 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT23-6 |
1900 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TSOP-6 |
505348 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-163 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT23-6 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
SOT-23-6 |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 |
