FDC6327C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC6327C规格书详情
描述 Description
这些N和P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计,能在极小的空间内实现优异的功率耗散,非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。
特性 Features
•N沟道2.7A,20V。 RDS(on) = 0.08Ω @ VGS = 4.5V,RDS(on) = 0.12Ω @ VGS = 2.5V P沟道-1.6A,-20V。RDS(on) = 0.17Ω @VGS= -4.5V,RDS(on) = 0.25Ω @ V GS = -2.5V
• P-Channel -1.6A, -20V RDS(on) = 0.17Ω @ VGS = -4.5V RDS(on) = 0.25Ω @ VGS = -2.5V
•开关速度快。
•低栅极电荷。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON) 。
•SuperSOT™ -6封装: 小尺寸(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDC6327C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:Complementary
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:±20
- VGS Max (V)
:8
- VGS(th) Max (V)
:±1.5
- ID Max (A)
:N:2.7
- PD Max (W)
:0.96
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:N:120
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:N: 80
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:3.7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:2.85
- Ciss Typ (pF)
:315
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SSOT-6 |
37048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAI |
23+ |
SOT-6 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT23-6 |
32000 |
ONSEMI/安森美全新特价FDC6327C即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT23-6 |
7200 |
只做原装支持终端 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TSOP-6 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2430+ |
SOT23-6 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+/25+ |
1040 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SOT23-6 |
120000 |
询价 |