FDC6321C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC6321C规格书详情
描述 Description
这些双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
特性 Features
•N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
•P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V.
•极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th)< 1.0V。
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
•替代多个双通道NPN & PNP数字晶体管。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC6321C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±25
- VGS Max (V)
：-8
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：N: 0.68
- PD Max (W)
：0.9
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N: 600
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 450
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.1
- Ciss Typ (pF)
：63
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2019+ |
TSOP-6 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
2023+ |
SOT-6 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FDC6321C |
24+ |
NA |
12000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
SOT-6 |
17500 |
公司常备大量原装正品现货!量大价优! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT23-6 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
13037 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TSOP-6 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
仙童 |
21+ |
42664 |
12588 |
原装正品假一罚十 |
询价 |
