Dual N & P Channel , Digital FET

General Description These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designe

文件：273.19 Kbytes 页数：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N- and P-Channel V (D-S) MOSFET

文件：1.13152 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：321P；Package：SOT23-6；N-Channel P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.10399 Mbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

双 N 和 P 沟道，数字 FET，25V

这些双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。 •N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V\n•P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V.\n•极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th)< 1.0V。\n•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型\n•替代多个双通道NPN & PNP数字晶体管。;

ONSEMI

安森美半导体