FDC6301N中文资料双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。 由于不要求偏压电阻，此类N沟道FET能替代多种具有不同偏压电阻的数字晶体管。

特性 Features

•25V、0.22A（连续值）、0.5A（峰值）
•RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V
•RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V
•栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.