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FDC5661N_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET, 逻辑电平,60V,4A,60mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC5661N_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET, 逻辑电平,60V,4A,60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-18 20:00:00

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FDC5661N_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 60V, 4A, 60mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 47 mO(VGS = 10 V、ID = 4.3 A)
•VGS = 4.5V,ID = 4A时,RDS(on) = 60mO
•Qg(tot) = 14.5nC (典型值),VGS = 10V
•低米勒电荷
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC5661N_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :4

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :47

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.22

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :14.5

  • Ciss Typ (pF)

    :763

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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