FDC5614P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC5614P规格书详情
描述 Description
该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-3 A, -60 V
•RDS(on) = 0.105 Ω @ VGS = -10 V
•RDS(on) = 0.135 Ω @ VGS = -4.5 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDC5614P
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-3
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:135
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:105
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:0.49
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:15
- Ciss Typ (pF)
:759
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
SOT23-6 |
6688 |
15 |
现货库存 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
9990 |
只有原装 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23-6 |
60000 |
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询价 | ||
ONSEMI |
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NA |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-23-6 |
8080 |
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ON |
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SOT23-6 |
3000 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
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询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
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询价 |