FDC5614P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET， 逻辑电平，60V，-3A，105mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC5614P规格书详情
描述 Description
该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-3 A, -60 V
•RDS(on) = 0.105 Ω @ VGS = -10 V
•RDS(on) = 0.135 Ω @ VGS = -4.5 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC5614P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-3
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：135
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：105
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.49
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：759
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
20000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2407+ |
TSOT-23-6(TSOP-6 |
30098 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
SOT23-6 |
6688 |
15 |
现货库存 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
7192 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
19048 |
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询价 | ||
ON |
2024+ |
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询价 | ||
ON |
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ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
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ON |
22+ |
SOT23 |
8500 |
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询价 | ||
NK/南科功率 |
2025 |
SOT-23-6 |
3200 |
国产南科 |
询价 |
