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FDC5614P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC5614P

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET, 逻辑电平,60V,-3A,105mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 13:00:00

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FDC5614P规格书详情

描述 Description

该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-3 A, -60 V
•RDS(on) = 0.105 Ω @ VGS = -10 V
•RDS(on) = 0.135 Ω @ VGS = -4.5 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC5614P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-3

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :135

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :105

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.49

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15

  • Ciss Typ (pF)

    :759

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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