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FDC5612数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC5612

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V,4.3A,55mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 11:48:00

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FDC5612规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动,并且驱动安全性更高(即使在非常高的频率),而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特性 Features

•4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 Ω@ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 0.064 Ω @ VGS = 6 V
•低栅极电荷(12.5nC,典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)
•SuperSOT™-6封装: 小尺寸(比标准 SO-8 小 72%);薄型(1 mm 厚)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC5612

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :4.3

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :55

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12.5

  • Ciss Typ (pF)

    :650

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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