FDC5612中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V，4.3A，55mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC5612规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
特性 Features
•4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 Ω@ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 0.064 Ω @ VGS = 6 V
•低栅极电荷（12.5nC，典型值）
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)
•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC5612
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：4.3
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：55
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12.5
- Ciss Typ (pF)
：650
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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