60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features • 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 W @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.064 W @ VGS = 6 V • Low gate cha

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Fairchild

仙童半导体

丝印：526P；Package：SOT23-6；60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application ●DC-DC Converters. ●Load Switch. ●Power Management.

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TECHPUBLIC

台舟电子

60V N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：79.33 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V，4.3A，55mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。 •4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 Ω@ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 0.064 Ω @ VGS = 6 V\n•低栅极电荷（12.5nC，典型值）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)\n•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）;

ONSEMI

安森美半导体

60V N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：79.33 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体