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FDC5661N数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC5661N

功能描述

MOSFET - N-Channel Logic Level, PowerTrench® , 60V, 4A, 60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 8:02:00

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FDC5661N规格书详情

描述 Description

MOSFET - N-Channel Logic Level, PowerTrench® , 60V, 4A, 60mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 47mO at VGS = 10V, ID = 4.3A
• High switching performance
•RDS(on) = 60mO at VGS = 4.5V, ID = 4A
• Samller FOM factor
•Typ Qg(TOT) = 14.5nC at VGS = 10V
• Low switching loss
•Low Miller Charge
•Qualified to AEC Q101
•RoHS Compliant

应用 Application

• Infotainment
• Portable Navigation
• Infotainment
• Other
• Power Train
• Safety and Control
• Comfort and Convenience
• Body Electronics
• DC/DC Coverter
• Motor application
• Power Supplies

技术参数

  • 型号:

    FDC5661N

  • 功能描述:

    MOSFET Trans N-Ch 60V 4.3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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