FDC6302P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC6302P规格书详情
描述 Description
这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此类器件专为低电压应用设计，以替代负载开关应用中的数字晶体管。 由于不需要偏置电阻，该P沟道FET能替代一些具有不同偏置电阻的数字晶体管，如IMBxA系列。
特性 Features
•-25V、-0.12A（连续值）、-0.5A（峰值）
•RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V
•RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V
•栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
•用一个DMOS FET替代多个PNP数字晶体管（IMHxA系列）
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC6302P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-25
- VGS Max (V)
：-8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-0.12
- PD Max (W)
：0.9
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=13000
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：10
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.22
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.22
- Ciss Typ (pF)
：11
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
15000 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT23-6 |
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三年内 |
1983 |
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25+ |
SOT-23-6 |
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ON/安森美 |
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FAIRCHILD |
25+ |
SOT23-6 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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23+ |
原包装原封 □□ |
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询价 | ||
ON |
21+ |
SOT-163 |
20000 |
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FAIRCHILD |
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ON/安森美 |
24+ |
TSOP-6 |
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