FDC637BNZ中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，6.2A，24mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC637BNZ规格书详情
描述 Description
此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。与SO-8和TSSOP-8封装的大尺寸不同，这些器件经过专门设计，能以非常小的尺寸提供出色的功耗特性。
特性 Features
•VGS = 4.5V，ID = 6.2A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
•VGS = 2.5V，ID = 5.2A时，最大rDS(on) = 32 mΩ
•快速开关速度
•低栅极电荷（典型值8nC）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
•HBM静电放电保护等级为>2kV，典型值（注3）
•采用绿色封装材料生产。
•无卤素
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC637BNZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：6.2
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：32
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：24
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：10
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：670
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
25+ |
SOT23-6 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TSOP-6 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-163 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT23-6 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ON(安森美) |
24+ |
SuperSOT-6 |
7057 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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ON |
24+ |
SOT23-6 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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ON/安森美 |
24+ |
SuperSOT-6 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
