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FDC634P中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-3.5A,80mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC634P

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-3.5A,80mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 19:00:00

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FDC634P规格书详情

描述 Description

该额定电压为2.5V的P沟道MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺制成。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-3.5 A, -20 V
•RDS(ON) = 80 mΩ(VGS = -4.5 V时)
•RDS(ON) = 110 mΩ(VGS = -2.5 V时)
•低栅极电荷(7.2nC典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC634P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-3.5

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :110

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.2

  • Ciss Typ (pF)

    :779

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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