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FDC640P	文件：261.01 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesaruggedgateversionofFairchild’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–4.5A,–20VRDS(ON)=0.053Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC640P	文件：79.99 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC640P_01	文件：79.99 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FM640	文件：99.4 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM640-T	文件：80.61 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FTK640D	文件：433.45 Kbytes Page：7 Pages	18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK640F	文件：433.45 Kbytes Page：7 Pages	18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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GBG640CT	文件：181.98 Kbytes Page：3 Pages	lowvoltage,highfrequencyinverter,	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

详细参数

型号：
FDC640P
功能描述：
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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