P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –4.5 A, –20 V RDS(ON)= 0.053 Ω@ VGS=

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET

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P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-4.5A，53mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。 •-4.5 A，-20 V。\n•RDS(ON) = 0.053 Ω @ VGS = 4.5 V\n•RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = 2.5 V\n•耐用栅极额定值(±12V)\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON);

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