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FDC6401N中文资料双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,20V,3.0A,70mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC6401N

功能描述

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,20V,3.0A,70mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:06:00

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FDC6401N规格书详情

描述 Description

该双N沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•3.0 A, 20 V
•RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(on) = 95 mΩ @ VGS = 2.5 V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC6401N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :3

  • PD Max (W)

    :0.96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=95

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=70

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.3

  • Ciss Typ (pF)

    :324

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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