N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET，100 V，2.7 A，109 mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 2.7 A时，rDS(on) = 109mΩ（最大值）\n•VGS = 6 V，ID = 2.1 A时，rDS(on) = 176mΩ（最大值）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

SOFT RECOVERY POWER RECTIFIER 8.0 AMPERES 600 VOLTS

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MOTOROLA

摩托罗拉

HIGH SPEED ANALOG OUTPUT TYPE 8 PIN PHOTOCOUPLER

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

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NEC

瑞萨

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NEC

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