N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET，100 V，2.7 A，109 mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 2.7 A时，rDS(on) = 109mΩ（最大值）\n•VGS = 6 V，ID = 2.1 A时，rDS(on) = 176mΩ（最大值）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET

文件：249.1 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 2.7 A, 109 m

文件：163.61 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

100V 3.5A N-Channel MOSFET

General Features ® Vos = 100VIp = 3.54 Rosow

文件：1.41253 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

Non-isolated step-down LED driver IC

文件：339.03 Kbytes 页数：7 Pages

FUMAN

富满微