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FDC642P_F085中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-4A，100mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC642P_F085规格书详情
描述 Description
P-Channel PowerTrench® MOSFET, -20V, -4A, 100mΩ
特性 Features
•典型 rDS(on) = 52.5 mΩ （VGS = –4.5 V、ID = –4A）
•典型 rDS(on) = 75.3 mΩ （VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A）
•快速开关速度
•低栅极电荷（6.9nC典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•SuperSOTÞ–封装：小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；超薄（1 mm 厚）。
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDC642P_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-4
- PD Max (W)
：1.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：75.3
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：52.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.9
- Ciss Typ (pF)
：700
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
SOT23-6 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Fairchild |
20+ |
SOT-23-6 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23-6 |
22800 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT23-6 |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
原ON |
24+ |
SOT23 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
原ON |
23+ |
SOT23 |
20000 |
询价 | |||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 |
