首页>FDC642P_F085>规格书详情

FDC642P_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDC642P_F085

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-4A,100mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 18:28:00

人工找货

FDC642P_F085价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDC642P_F085规格书详情

描述 Description

P-Channel PowerTrench® MOSFET, -20V, -4A, 100mΩ

特性 Features

•典型 rDS(on) = 52.5 mΩ (VGS = –4.5 V、ID = –4A)
•典型 rDS(on) = 75.3 mΩ (VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A)
•快速开关速度
•低栅极电荷(6.9nC典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•SuperSOTÞ–封装:小尺寸(比标准 SO-8 小 72%);超薄(1 mm 厚)。
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC642P_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-4

  • PD Max (W)

    :1.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :75.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :52.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.9

  • Ciss Typ (pF)

    :700

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
19+/
SOT23-6
1130
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON
24+
TSOT-23-6
25000
ON全系列可订货
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT-23-6
64445
原装正品,假一罚十!
询价
ONSEMI/安森美
2450+
SOT23-6
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
FAIRCHILD/仙童
新年份
SOT-23-6
78000
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
询价
ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单
询价
ON
23+
SOT23-6
22800
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号
询价
ON
24+
SOT23
8000
原装,正品
询价
ONSEMI/安森美
24+
SOT23-6
22055
郑重承诺只做原装进口现货
询价
原ON
24+
SOT23
5000
全新原装正品,现货销售
询价