FDC645N中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,5.5A,26 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC645N规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•5.5 A,30 V。
•RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(on) = 26 mΩ @ VGS = 10 V
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•低栅极电荷(典型值13nC)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDC645N
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:12
- VGS(th) Max (V)
:2
- ID Max (A)
:5.5
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:30
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:26
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:13
- Ciss Typ (pF)
:1460
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
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23+ |
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