FDC855N数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDC855N规格书详情
描述 Description
该N沟道逻辑电平MOSFET是低电压和电池电源应用的有效解决方案。 由于采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺，该器件具有最低的通态电阻，可以优化功耗。 非常适合重视线路内功率损耗的应用。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 6.1A时，最大RDS(on) = 27mΩ
•VGS = 4.5V，ID = 5.3A时，最大rDS(on) = 36 mΩ
•SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC855N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：6.1
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：36
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：27
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.9
- Ciss Typ (pF)
：493
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2016+ |
SOT23-6 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SSOT6 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TSOP-6 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT23-6 |
39014 |
FAIRCHILD/仙童全新特价FDC855N即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHI |
12+ |
SOT23-6 |
918 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/FAI |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 |
