FDC855N中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，6.1A，27 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC855N规格书详情
描述 Description
该N沟道逻辑电平MOSFET是低电压和电池电源应用的有效解决方案。 由于采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺，该器件具有最低的通态电阻，可以优化功耗。 非常适合重视线路内功率损耗的应用。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 6.1A时，最大RDS(on) = 27mΩ
•VGS = 4.5V，ID = 5.3A时，最大rDS(on) = 36 mΩ
•SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC855N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：6.1
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：36
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：27
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.9
- Ciss Typ (pF)
：493
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
只做原装 |
5850 |
进口原装假一赔百,现货热卖 |
询价 | ||
FAIRCHI |
12+ |
SOT23-6 |
918 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-163 |
33000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
SOT-23 |
12000 |
现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
9420 |
TSOT-23-6 |
36520 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2019+PB |
SOT23-6 |
3250 |
原装正品 可含税交易 |
询价 |
