首页>FDC6392S>规格书详情

FDC6392S中文资料-20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FDC6392S

功能描述

-20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 14:07:00

人工找货

FDC6392S价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDC6392S规格书详情

描述 Description

FDC6392S将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SSOT-6封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷MOSFET。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性 Features

-2.2A, -20V
RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = -4.5V
RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = -2.5V
低栅极电荷(3.7nC典型值)
紧凑的工业标准SuperSOT™-6封装肖特基:
VF < 0.45 V @ 1 A

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC6392S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -2.2A

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-2.2

  • PD Max (W)

    :0.96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.7

  • Ciss Typ (pF)

    :369

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
SOT-163
2067
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAIRCHILD/仙童
2223+
SOT-163
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
FSC
21+
SOT23-6
67343
原装现货假一赔十
询价
进口品牌
23+
SMD
35842
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
FAIRCHILD
2023+
SOT-163
50000
原装现货
询价
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT-23-6
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
ON/安森美
20+
TSOP-6
120000
原装正品 可含税交易
询价
VBSEMI微碧半导体
2450+
SOT-23-6
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-23-6
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
FAIRCHILD/仙童
2023+
SOT-163
2050
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价