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FDC6392S数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC6392S

功能描述

-20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:51:00

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FDC6392S规格书详情

描述 Description

FDC6392S将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SSOT-6封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷MOSFET。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性 Features

-2.2A, -20V
RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = -4.5V
RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = -2.5V
低栅极电荷(3.7nC典型值)
紧凑的工业标准SuperSOT™-6封装肖特基:
VF < 0.45 V @ 1 A

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC6392S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -2.2A

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-2.2

  • PD Max (W)

    :0.96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.7

  • Ciss Typ (pF)

    :369

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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