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FDC8602中文资料双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET,100 V,1.2 A,350 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDC8602

功能描述

双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET,100 V,1.2 A,350 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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FDC8602规格书详情

描述 Description

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 1.2A时,最大rDS(on) = 350mΩ
•VGS = 6 V,ID = 0.9 A时,最大rDS(on) = 575mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• 配电

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC8602

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :1.2

  • PD Max (W)

    :0.96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :350

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :2.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.6

  • Ciss Typ (pF)

    :53

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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