双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，100 V，1.2 A，350 mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10V，ID = 1.2A时，最大rDS(on) = 350mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 0.9 A时，最大rDS(on) = 575mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 1.2 A, 350 m廓

文件：257.87 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

ZERO DELAY, DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL

文件：148.71 Kbytes 页数：10 Pages

ICST

ZERO DELAY, DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL

文件：148.71 Kbytes 页数：10 Pages

ICST

ZERO DELAY, DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL

文件：148.71 Kbytes 页数：10 Pages

ICST