FDC8878中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET,30 V,8.0 A,16 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC8878规格书详情
描述 Description
该N沟道MOSFET由飞兆半导体先进的Power Trench®工艺制成。该工艺专为rDS(on)和开关性能而优化。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 8.0 A时,最大rDS(on) = 16mΩ
•VGS = 4.5V,ID = 7.5 A时,最大rDS(on) = 18mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•快速开关速度
•符合RoHS标准
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
:FDC8878
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:8
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:18
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:16
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:2.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:6
- Ciss Typ (pF)
:782
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
24+ |
TSOT-23-6 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23-6 |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA |
8000 |
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ON/安森美 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
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ON/安森美 |
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NA |
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Fairchild |
24+ |
SOT-23-6 |
33450 |
原装现货假一赔十 |
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