FDC86244中文资料N 沟道，屏蔽门极，Power Trench® MOSFET，150 V，2.3 A，144 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC86244规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
•VGS = 10 V且ID = 2.3A时，最大rDS(on) = 144 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 1.9 A时，最大rDS(on) = 188 mO
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• 配电
技术参数
- 制造商编号
：FDC86244
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.3
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：144
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.4
- Ciss Typ (pF)
：260
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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