N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 2.3 A, 144 m廓

文件：301.54 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：1.00826 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N 沟道，屏蔽门极，Power Trench® MOSFET，150 V，2.3 A，144 mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V且ID = 2.3A时，最大rDS(on) = 144 mΩ \n•VGS = 6 V，ID = 1.9 A时，最大rDS(on) = 188 mO\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 9.4 A, 134 m廓

文件：324.51 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

SINGLE-CHIP DUAL PROSLIC®

Si32260/1 Features  Two complete FXS channels in a single 6 x 8 mm or 8 x 8 mm package  Performs all BORSCHT functions  Ideal for short- or long-loop applications  Ultra low power consumption  Internal balanced or unbalanced ringing  Patented low power ringing  Adaptive ringing  S

文件：1.2334 Mbytes 页数：59 Pages

SKYWORKS

思佳讯

N-Channel Power Trench MOSFET

文件：239.46 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体