N 沟道 PowerTrench® MOSFET，30 V，8.0 A，16 mΩ

该N沟道MOSFET由飞兆半导体先进的Power Trench®工艺制成。该工艺专为rDS(on)和开关性能而优化。 •VGS = 10V，ID = 8.0 A时，最大rDS(on) = 16mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 7.5 A时，最大rDS(on) = 18mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•快速开关速度\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 8.0 A, 16 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

Low-Noise, Low-Dropout, 150mA Linear Regulators with ??982 Pinout

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MAXIM

美信

Low-Noise, Low-Dropout, 150mA Linear Regulators with ??982 Pinout

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