N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5m?

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，50A，10.5mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 10.5mΩ •RDS(on) = 9.4mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 50A\n•Qg(tot) = 28nC（典型值） @ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr 体二极管\n•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件：1.091 Mbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5m

文件：390.22 Kbytes 页数：11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司