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FDC8886数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDC8886

功能描述

30V N沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDC8886规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 6.5 A时,最大rDS(on) = 23mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 6.0 A时,最大rDS(on) = 36mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•快速开关速度
•符合RoHS标准

应用 Application

• 笔记本电脑

技术参数

  • 制造商编号

    :FDC8886

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :6.5

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :36

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.5

  • Ciss Typ (pF)

    :348

  • Package Type

    :TSOT-23-6

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