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FDC8886	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N沟道PowerTrench® MOSFET 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化。 •VGS = 10 V，ID = 6.5 A时，最大rDS(on) = 23mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 6.0 A时，最大rDS(on) = 36mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•快速开关速度\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDC8886	文件：267.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 m廓文件：267.14 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
PDRV8886ATRHRR	文件：2.32861 Mbytes Page：43 Pages	2-A Stepper Motor Driver With Integrated Current Sense and AutoTune Technology 文件：2.32861 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
RT8886A	文件：649 Kbytes Page：45 Pages	2-Phase Controller with Dual Integrated Drivers 文件：649 Kbytes 页数：45 Pages	RICHTEK 立锜科技	RICHTEK
RT8886AGQW	文件：649 Kbytes Page：45 Pages	2-Phase Controller with Dual Integrated Drivers 文件：649 Kbytes 页数：45 Pages	RICHTEK 立锜科技	RICHTEK

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更多FDC8886供应商更新时间2026-4-17 14:14:00