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FDD10N20LZ中文资料功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,UniFETTM,200 V,7.6 A,360 mΩ,DPAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD10N20LZ

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,UniFETTM,200 V,7.6 A,360 mΩ,DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:04:00

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FDD10N20LZ规格书详情

描述 Description

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 300mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.8A
•低栅极电荷(典型值 12nC)
•低 Crss(典型值 11pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD10N20LZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :7.6

  • PD Max (W)

    :83

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :400

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :360

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :440

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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