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FDD050N03B中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,90A,5.0mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD050N03B

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,90A,5.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 14:09:00

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FDD050N03B规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 3.7mΩ (典型值)@ VGS = 10V,ID = 25A
•快速开关速度
•低栅极电荷,QG = 33nC(典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-台式计算机

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD050N03B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :16

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :90

  • PD Max (W)

    :65

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :8.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :33

  • Ciss Typ (pF)

    :2160

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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