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FDD2572数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD2572

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,150V,29A,54mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDD2572规格书详情

描述 Description

N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ

特性 Features

•rDS(ON) = 45 mΩ(典型值),VGS = 10 V, ID = 9 A
•Qg(tot) = 26nC(典型值),VGS = 10V
•低密勒电荷
•低 Qrr体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD2572

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :29

  • PD Max (W)

    :135

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :54

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.3

  • Ciss Typ (pF)

    :1770

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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